RF를 이용한 장애물 피하는 모형자동차
Ⅰ.서론
1.1 동기
팀 내 구성원들이 다들 자동차에 관하여 평소에 많은 관심을 가지고 있었다.
그래서 이번 졸업 작품의 기회에 다들 자동차를 이용한 먼가를 만들 생각을 당연히 가지게 되었다.. 주제를 정하기까지 하고 싶은 것이 많아 어떤 것을 할지 많이 망
1. 기존 PLANT 내의 제어실에 새로운 CONTROL SYSTEM 을 설치하고 기존 CONTROL SYSTEM 과의 DATA COMMUNICATION을 하려고 한다. 이때 고려해야할 사항을 설명하시오. 또한, OSI (Open System Interconnection) 7 Layer 에 대해 설명하고 TCP/IP 4계층과 비교 및 적용되는 Protocol의 예를 드시오.
① 이기종간의 제어시스템간의 데이타
뛰고 공을 차고 물건을 물고 다니며 갖가지 재롱을 피우는 애완견로봇AIBO(Artificial Intelligence Robot)은 1999년 5월 12일 소니에서 개발했다. 이와 같은 로봇의 개발은 일본 와세다 대학의 WABOT을 시작으로 박차를 가하기 시작했으며 이제는 일반인들도 쉽게 생활 속에서 로봇을 접할 수가 있다. 초기의 바퀴로
2.3 C-V graph
The measured MOS capacitance (called gate capacitance) varies with the applied gate voltage.
① Measurement of C-V characteristics
-Apply any DC bias, and superimpose a small (15 mV) ac signal
-Generally measured at 1 MHz (high frequency) or at variable frequencies between 1KHz to 1 MHz
-The dc bias VG is slowly varied to get quasi-continuous C-V characteristics
② C-V chara
아래 내용은 실험1. Signal filter 내용의 일부입니다.
1. 실험 목적
본 실험의 목적은 저항과 캐패시터를 이용해 필터를 구현하고 해석하는 것이다.
2. 실험 이론
2.1 Noise의 정의와 발생이유
Noise라는 것은 한국말로 잡음이라는 의미로 보통 소음을 의미한다. 하지만 이때 소음이라고 하는
나. 각도 제어부(Angle Control Section)
이 부분은 사이리스터의 점호각을 제어할 수 있도록 해준다. INPUT단자는 0과 180°사이를 점호 각이 변화하도록 -10 V에서 +10V까지 변화하는 전압을 받아들인다. COMPLEMENT와 ARC COSINE 푸시보턴은 INPUT에 공급된 전압과 점호 각과의 관계를 선택되도록 해준다.
COMPLEME
Ⅰ. 전압의 개요
발전소와 우리들 가정은 아주 멀리 떨어져 있기 때문에 송전선의 저항을 무시할 수 없다.
전류가 송전선을 지날 때 전류의 열작용 때문에 에너지가 소모된다. 여러분은 아마도 중학교의 전기 부분에서 배웠던 전압과 전류, 저항의 전력의 관계를 기억할 것이다.
즉, V = IR,
Ⅰ. 개요
우리는 자기장 속에서 전류가 흐르는 도선은 자기장과 전류에 직각인 힘을 받는다는 것을 알고 있다. ( ) 이는 모든 전동기의 근본이고 1821년에 마이클 패러데이에 의해 이러한 목적으로 처음으로 적용되었다. 또한 역으로 적용할 수 있을까? 자석이 코일에 대해 상대적으로 움직이도록 힘이
1.2. 재료가 사용된 이유
투명 전도막(TCO : Transparent Conductive Oxide)이란, 가시광 영역에서 광 투과율이 우수해야 하고, 높은 전기전도도와 적절한 에칭 특성을 지녀야 한다. ITO는 가시광선 영역 (400nm ~ 700nm)에서 80%정도의 투과도를 가지며 optical band gap이 3.55eV를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은
4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer